近日，北京理工大学宇航学院洪家旺教授、王学云副教授团队报道了单原子层厚度的二维范德瓦尔斯CuInP2S6铁电材料面外强压电性效应以及增强的电流自整流特性，相关成果以“Strong Piezoelectricity and Improved Rectifier Properties in Mono- and Multilayered CuInP2S6”为题，发表于国际顶级学术期刊《Advanced Functional Materials》。

北京理工大学在单层压电材料研究中取得重要进展

近日，北京理工大学宇航学院洪家旺教授、王学云副教授团队报道了单原子层厚度的二维范德瓦尔斯CuInP2S6铁电材料面外强压电性效应以及增强的电流自整流特性，相关成果以“Strong Piezoelectricity and Improved Rectifier Properties in Mono- and Multilayered CuInP2S6”为题，发表于国际顶级学术期刊《Advanced Functional Materials》。

二维压电材料在柔性自供能电子开关、电子皮肤和传感器等领域具有广阔的应用前景。

尤其是近年来在 h -BN、C3N4和过渡金属二硫族化合物等二维单层材料中发现了压电效应，在领域内引起了广泛关注。然而，大部分单层压电材料中的压电效应仅限于面内方向，面外方向压电效应非常微弱且电流整流比较差，限制了二维薄层材料在垂直结构器件中的实际应用。因此，探索在面外方向上具有强压电效应和整流性质的单层和薄层二维材料是该领域当前的研究前沿。

我校宇航学院洪家旺、王学云教授团队基于在范德瓦尔斯铁电体CuInP2S6体系前期研究基础上，进一步报道了首次成功剥离制备出单原子层厚度的CuInP2S6铁电材料，并发现其在面外方向上的强压电性，远高于现有单层压电材料 (图1)。

在此基础上，通过纳米探针施加应变的同时，合理引入应变梯度产生挠曲电场调控单层和多层二维材料的隧穿势垒高度和隧穿厚度，有效提升单层和多层CuInP2S6材料的电流整流性质。这些研究发现表明单层和多层CuInP2S6材料在垂直阵列器件结构的传感、类脑计算等方面具有潜在的应用价值。

本文来源：半岛官方下载入口-www.ye12345.com